一、單極晶體管

單極晶體管又稱(chēng)場(chǎng)效應管，簡(jiǎn)稱(chēng)FET(Field Effect Transistor)。它是一種由輸入電壓產(chǎn)生的電場(chǎng)效應控制輸出電流大小的電壓控制裝置。它只有一個(gè)載流子（大多數載流子）參與導電，因此被稱(chēng)為單極晶體管。

特點(diǎn)：

輸入電阻高，可達107 ~ 1015 Ω，絕緣格柵場(chǎng)效應管(IGFET) 可高達 1015 Ω。

噪音低，熱穩定性好，工藝簡(jiǎn)單，易于集成，設備特性控制方便，功耗小，體積小，成本低。

分類(lèi)：

根據材料的不同，可分為結型場(chǎng)效應管JFET (Junction Field Effect Transistor)IGFET和絕緣格柵場(chǎng)效應管(Insulated Gate FET) 。

二、雙極晶體管

雙極晶體管又稱(chēng)晶體三極管，是由輸入電流控制輸出電流的電流控制裝置，具有電流放大的作用。它有兩種載流子，電子和空穴參與導電過(guò)程，因此被稱(chēng)為雙極三極管。

特點(diǎn)：

三極管可用于放大微弱信號，并作為無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)。它具有結構牢固、使用壽命長(cháng)、體積小、功耗低等一系列獨特優(yōu)點(diǎn)，廣泛應用于各個(gè)領(lǐng)域。

分類(lèi)：

根據材料的不同，晶體三極管可分為硅管(Si)與鍺管(Ge)。

硅三極管反向泄漏電流小，耐壓高，溫度漂移小，在高溫下工作，功率損失大。鍺三極管增益大，頻率響應好，特別適用于低壓線(xiàn)路。